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XGZP2406

    XGZP2406型压阻式压力敏感芯片采用6寸MEMS产线加工完成,该压力敏感芯片由一个弹性膜及集成在膜上的四个电阻组成,四个压敏电阻形成了惠斯通电桥结构,当有压力作用在弹性膜上时电桥会产生一个与所加压力成线性比例关系的电压输出信号。
       芯片采用SOI结构,可用于180℃的高温领域。
       芯片具有良好的线性、重复性和稳定性,零点和满量程温漂小,优异的抗干扰能力和抗静电能力,过载能力强,灵敏度高等特点,方便用户采用运放或集成电路针对输出进行调试。
       适用于充油隔离及各种简易封装的压力传感器。


XGZP2406 SOI 压力传感器晶圆

images.jpg测量范围-100kPa~0700kPa…200kPa

硅压阻原理

表压或绝压形式

SOI结构,耐高温低温漂

优异的稳定性、线性度
恒流或恒压供电


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